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1N5365E3/TR8 - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
1N5365E3/TR8 图片
1N5365E3/TR8
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：单齐纳二极管，T-18
  • 技术参数：DIODE ZENER 36V 5W T18
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1N5365E3/TR8 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：1N5365E3/TR8
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：DIODE ZENER 36V 5W T18
  • 系列：-
  • 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：36V
  • 容差：±20%
  • 功率 - 最大值：5W
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：11 欧姆
  • 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：500nA @ 25.9V
  • 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：1.2V @ 1A
  • 工作温度：-65°C ~ 150°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：T-18，轴向
  • 供应商器件封装：T-18
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