1N5335BE3/TR12 - Microsemi
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图片信息
1N5335BE3/TR12
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
二极管 - 齐纳 - 单,封装:T-18,轴向
技术参数:
DIODE ZENER 3.9V 5W T18
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1N5335BE3/TR12 技术参数详情:
制造商产品型号:1N5335BE3/TR12
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:DIODE ZENER 3.9V 5W T18
系列:二极管 - 齐纳 - 单
零件状态:停产
电压-齐纳(标称值)(Vz):3.9V
容差:±5%
功率-最大值:5W
阻抗(最大值)(Zzt):2 Ohms
不同Vr时电流-反向泄漏:50A @ 1V
不同If时电压-正向(Vf):1.2V @ 1A
工作温度:-65°C ~ 150°C
安装类型:通孔
封装:T-18,轴向
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