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1N5279BDO35TR - Microsemi
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Microsemi产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
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1N5279BDO35TR
  • 制造厂家：Microsemi（Microchip，美高森美）
  • 类别封装：二极管 - 齐纳 - 单，封装：DO-204AH，DO-35，轴向
  • 技术参数：DIODE ZENER 180V 500MW DO35
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1N5279BDO35TR 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：1N5279BDO35TR
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：DIODE ZENER 180V 500MW DO35
  • 系列：二极管 - 齐纳 - 单
  • 零件状态：停产
  • 电压-齐纳（标称值）(Vz)：180V
  • 容差：±5%
  • 功率-最大值：500mW
  • 阻抗（最大值）(Zzt)：2.2 kOhms
  • 不同Vr时电流-反向泄漏：100nA @ 137V
  • 不同If时电压-正向(Vf)：1.5V @ 200mA
  • 工作温度：-65°C ~ 175°C
  • 安装类型：通孔
  • 封装：DO-204AH，DO-35，轴向
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