1N4106 (DO35) - Microsemi
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图片信息
1N4106 (DO35)
制造厂家:
Microsemi(Microchip,美高森美)
类别封装:
二极管 - 齐纳 - 单,封装:DO-204AH,DO-35,轴向
技术参数:
DIODE ZENER 12V 400MW DO35
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1N4106 (DO35) 技术参数详情:
制造商产品型号:1N4106 (DO35)
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:DIODE ZENER 12V 400MW DO35
系列:二极管 - 齐纳 - 单
零件状态:有源
电压-齐纳(标称值)(Vz):12V
容差:±5%
功率-最大值:400mW
阻抗(最大值)(Zzt):200 Ohms
不同Vr时电流-反向泄漏:50nA @ 9.12V
不同If时电压-正向(Vf):1V @ 200mA
工作温度:-65°C ~ 200°C
安装类型:通孔
封装:DO-204AH,DO-35,轴向
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