NAND01GR3B2CZA6E - Micron
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图片信息
NAND01GR3B2CZA6E
制造厂家:
Micron(美光科技)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:63-VFBGA(9.5x12)
技术参数:
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
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NAND01GR3B2CZA6E 技术参数详情:
型号:NAND01GR3B2CZA6E
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:63-VFBGA(9.5x12)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC FLASH 1GBIT PARALLEL 63VFBGA
系列:-
包装:托盘
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:闪存
技术:闪存 - NAND
存储容量:1Gb
存储器组织:128M x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:25ns
访问时间:25 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
工作温度:-40°C ~ 85°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:63-TFBGA
供应商器件封装:63-VFBGA(9.5x12)
快速提供
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