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Micron产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR 图片
  • 制造厂家:Micron(美光科技)
  • 类别封装:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:200-TFBGA(10x14.5)
  • 技术参数:IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
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MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR 技术参数详情:
  • 型号:MT53E1G32D2FW-046 AAT:B TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-TFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 32GBIT PAR 200TFBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR4X
  • 存储容量:32Gb
  • 存储器组织:1G x 32
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:18ns
  • 访问时间:3.5 ns
  • 电压 - 供电:1.06V ~ 1.17V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-TFBGA
  • 供应商器件封装:200-TFBGA(10x14.5)
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