MT49H64M9BM-25:B - Micron
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图片信息
MT49H64M9BM-25:B
制造厂家:
Micron(美光科技)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:144-BGA(18.5x11)
技术参数:
IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
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MT49H64M9BM-25:B 技术参数详情:
型号:MT49H64M9BM-25:B
品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
封装:144-BGA(18.5x11)
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC DRAM 576MBIT PARALLEL 144UBGA
系列:-
包装:散装
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:易失
存储器格式:DRAM
技术:DRAM
存储容量:576Mb
存储器组织:64M x 9
存储器接口:并联
时钟频率:400 MHz
写周期时间 - 字,页:-
访问时间:20 ns
电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
工作温度:0°C ~ 95°C(TC)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:144-TFBGA
供应商器件封装:144-BGA(18.5x11)
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MT49H64M9BM-25:B
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