TC2320TG-G - Microchip
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图片信息
TC2320TG-G
制造厂家:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:8-SOIC
技术参数:
MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
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TC2320TG-G 技术参数详情:
型号:TC2320TG-G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:8-SOIC
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 200V 8SOIC
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):200V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):-
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):7 欧姆 @ 1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):110pF @ 25V,125pF @ 25V
功率 - 最大值:-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:8-SOIC(0.154,3.90mm 宽)
供应商器件封装:8-SOIC
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