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MXLPLAD30KP18AE3 - Microchip
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图片信息
MXLPLAD30KP18AE3 图片
MXLPLAD30KP18AE3
  • 制造厂家：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：二极管TVS，PLAD
  • 技术参数：TVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD
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MXLPLAD30KP18AE3 技术参数详情：
  • Microsemi美高森美完整型号：MXLPLAD30KP18AE3
  • 制造商：Microsemi（美高森美，已被 Microchip 微芯 收购）
  • 描述：TVS DIODE 18VWM 30.8VC PLAD
  • 系列：军用， MIL-PRF-19500
  • 类型：齐纳
  • 单向通道：1
  • 双向通道：-
  • 电压 - 反向关态（典型值）：18V
  • 电压 - 击穿（最小值）：20V
  • 电压 - 箝位（最大值）@ Ipp：30.8V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000μs)：975A
  • 功率 - 峰值脉冲：30000W （30kW）
  • 电源线路保护：无
  • 应用：通用
  • 不同频率时的电容：-
  • 工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：非标准型 SMD
  • 供应商器件封装：PLAD
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