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MUPTB12E3 - Microchip
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图片信息
MUPTB12E3 图片
MUPTB12E3
  • 制造厂家：Microchip（微芯科技）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:Powermite 1（DO216-AA）
  • 技术参数：TVS DIODE 12VWM 21.6VC POWERMIT1
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MUPTB12E3 技术参数详情：
  • 型号:MUPTB12E3
  • 品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
  • 封装:Powermite 1（DO216-AA）
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 12VWM 21.6VC POWERMIT1
  • 系列:-
  • 包装:散装
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:12V
  • 电压 - 击穿（最小值）:13.8V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:21.6V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):6.94A
  • 功率 - 峰值脉冲:1000W（1kW）
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:-
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:DO-216AA
  • 供应商器件封装:Powermite 1（DO216-AA）
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