APTM50H10FT3G - Microchip
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图片信息
APTM50H10FT3G
制造厂家:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:SP3
技术参数:
MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
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APTM50H10FT3G 技术参数详情:
型号:APTM50H10FT3G
品牌:Microchip Technology (Microchip,微芯科技)
封装:SP3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 4N-CH 500V 37A SP3
系列:-
包装:散装
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:4 N 沟道(全桥)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):500V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):37A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):120 毫欧 @ 18.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):96nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):4367pF @ 25V
功率 - 最大值:312W
工作温度:-40°C ~ 150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:底座安装
封装/外壳:SP3
供应商器件封装:SP3
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