APTGV50H120T3G - Microchip
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图片信息
APTGV50H120T3G
制造厂家:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - IGBT - 模块,封装:SP3
技术参数:
IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
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APTGV50H120T3G 技术参数详情:
制造商产品型号:APTGV50H120T3G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT MODULE 1200V 75A 270W SP3
系列:晶体管 - IGBT - 模块
零件状态:停产
IGBT类型:NPT,沟槽型场截止
配置:全桥反相器
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):75A
功率-最大值:270W
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,50A
电流-集电极截止(最大值):250A
不同Vce时输入电容(Cies):3.6nF @ 25V
输入:标准
NTC热敏电阻:是
工作温度:-
安装类型:底座安装
封装:SP3
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