APT11GF120BRDQ1G - Microchip
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图片信息
APT11GF120BRDQ1G
制造厂家:
Microchip(微芯科技)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:TO-247-3
技术参数:
IGBT 1200V 25A 156W TO247
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APT11GF120BRDQ1G 技术参数详情:
制造商产品型号:APT11GF120BRDQ1G
制造商:Microsemi(美高森美,已被 Microchip 微芯 收购)
描述:IGBT 1200V 25A 156W TO247
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:NPT
电压-集射极击穿(最大值):1200V
电流-集电极(Ic)(最大值):25A
电流-集电极脉冲(Icm):24A
不同Vge、Ic时Vce(on)(最大值):3V @ 15V,8A
功率-最大值:156W
开关能量:300J(开),285J(关)
输入类型:标准
栅极电荷:65nC
25°C时Td(开/关)值:7ns/100ns
测试条件:800V,8A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr):-
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装:TO-247-3
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