DS1230AB-200 - Maxim
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图片信息
DS1230AB-200
制造厂家:
Maxim(美信半导体,ADI亚德诺)
类别封装:
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器,封装:28-EDIP
技术参数:
IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
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DS1230AB-200 技术参数详情:
型号:DS1230AB-200
品牌:Analog Devices Inc. (ADI亚德诺, Maxim Integrated美信半导体)
封装:28-EDIP
类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
描述:IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
系列:-
包装:管件
产品状态:停产
南皇电子 可编程:未验证
存储器类型:非易失
存储器格式:NVSRAM
技术:NVSRAM(非易失性 SRAM)
存储容量:256Kb
存储器组织:32K x 8
存储器接口:并联
时钟频率:-
写周期时间 - 字,页:200ns
访问时间:200 ns
电压 - 供电:4.75V ~ 5.25V
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:28-DIP 模块(0.600,15.24mm)
供应商器件封装:28-EDIP
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DS1230AB-200
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