MSAT-N25 - MACOM
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图片信息
MSAT-N25
制造厂家:
MACOM
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 射频,封装:2012
技术参数:
RF DIODE PIN 200V 2012
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MSAT-N25 技术参数详情:
型号:MSAT-N25
品牌:MACOM Technology Solutions (MACOM)
封装:2012
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
描述:RF DIODE PIN 200V 2012
系列:-
包装:托盘
产品状态:在售
二极管类型:PIN - 单
电压 - 峰值反向(最大值):200V
电流 - 最大值:200 mA
不同Vr、F 时电容:-
不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 10mA,500MHz
功率耗散(最大值):-
工作温度:175°C(TJ)
等级:-
资质:-
封装/外壳:0805(2012 公制)
供应商器件封装:2012
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