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IXSJ80N120R1 - Littelfuse
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图片信息
IXSJ80N120R1 图片
IXSJ80N120R1
  • 制造厂家：Littelfuse（力特）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:ISO247-3L
  • 技术参数：1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
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IXSJ80N120R1 技术参数详情：
  • 型号:IXSJ80N120R1
  • 品牌:IXYS (已被Littelfuse力特收购)
  • 封装:ISO247-3L
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
  • 系列:-
  • 包装:管件
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:SiCFET（碳化硅）
  • 漏源电压（Vdss）:1200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):85A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:22.5 毫欧 @ 40A，18V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.8V @ 22.2mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:154 nC @ 18 V
  • Vgs（最大值）:+21V，-4V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4522 pF @ 800 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:266W
  • 工作温度:-40°C ~ 150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:ISO247-3L
  • 封装/外壳:TO-247-3
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