XPJ1R504PB,LXHQ - Kioxia
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图片信息
XPJ1R504PB,LXHQ
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:S-TOGL
技术参数:
40V 120A 1.54MOHM AUTOMOTIVE AEC
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XPJ1R504PB,LXHQ 技术参数详情:
型号:XPJ1R504PB,LXHQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:S-TOGL
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:40V 120A 1.54MOHM AUTOMOTIVE AEC
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.54mOhm @ 60A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3V @ 500A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):61 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):5330 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):197W(Tc)
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:S-TOGL
封装/外壳:5-PowerSFN
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