射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
XK1R9F10QB,LXGQ - Kioxia
Kioxia代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
XK1R9F10QB,LXGQ 图片
XK1R9F10QB,LXGQ
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:TO-220SM（W）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
  • 需要XK1R9F10QB,LXGQ的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
XK1R9F10QB,LXGQ 技术参数详情：
  • 型号:XK1R9F10QB,LXGQ
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:TO-220SM（W）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:6V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.92 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3.5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:184 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:11500 pF @ 10 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:375W（Tc）
  • 工作温度:175°C
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-220SM（W）
  • 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
  • 快速提供XK1R9F10QB,LXGQ专业且全面的报价，Kioxia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Kioxia品牌LOGO
更多Kioxia产品：
Kioxia公司授权代理商
Adels
SkyMirr
Megawin
Johanson Dielectrics
Seek Thermal
XK1R9F10QB,LXGQ（制造商：Kioxia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台