TRS6V65H,LQ - Kioxia
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图片信息
TRS6V65H,LQ
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管,封装:4-DFN-EP(8x8)
技术参数:
DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
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TRS6V65H,LQ 技术参数详情:
型号:TRS6V65H,LQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:4-DFN-EP(8x8)
类目:分立半导体产品 > 二极管 > 整流器 > 单二极管
描述:DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 4DFNEP
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
电流 - 平均整流 (Io):6A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.35 V @ 6 A
速度:零恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr):0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:70 A @ 650 V
不同Vr、F 时电容:392pF @ 1V,1MHz
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:4-VSFN 焊盘
供应商器件封装:4-DFN-EP(8x8)
工作温度 - 结:175°C
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TRS6V65H,LQ
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