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TPN1200APL,L1Q - Kioxia
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图片信息
TPN1200APL,L1Q 图片
TPN1200APL,L1Q
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-TSON Advance（3.1x3.1）
  • 技术参数：PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
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TPN1200APL,L1Q 技术参数详情：
  • 型号:TPN1200APL,L1Q
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:8-TSON Advance（3.1x3.1）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSO
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:100 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11.5 毫欧 @ 20A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 300A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1855 pF @ 50 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:630mW（Ta），104W（Tc）
  • 工作温度:175°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-TSON Advance（3.1x3.1）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
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