射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
TPH1110ENH,L1Q - Kioxia
Kioxia代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TPH1110ENH,L1Q 图片
TPH1110ENH,L1Q
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:8-SOP Advance（5x5）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
  • 需要TPH1110ENH,L1Q的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
TPH1110ENH,L1Q 技术参数详情：
  • 型号:TPH1110ENH,L1Q
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:8-SOP Advance（5x5）
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）:200 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:114 毫欧 @ 3.6A，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 200A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7 nC @ 10 V
  • Vgs（最大值）:±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:600 pF @ 100 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散（最大值）:1.6W（Ta），42W（Tc）
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:8-SOP Advance（5x5）
  • 封装/外壳:8-PowerVDFN
  • 快速提供TPH1110ENH,L1Q专业且全面的报价，Kioxia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Kioxia品牌LOGO
更多Kioxia产品：
Kioxia公司授权代理商
Sivers
Tagore
SPI Connects
AHV
Applied Kilovolts
TPH1110ENH,L1Q（制造商：Kioxia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台