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TPCC8105,L1Q(CM - Kioxia
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图片信息
TPCC8105,L1Q(CM 图片
TPCC8105,L1Q(CM
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
  • 技术参数：MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
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TPCC8105,L1Q(CM 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TPCC8105,L1Q(CM
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET P-CH 30V 23A 8TSON
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSVI
  • 零件状态：有源
  • FET类型：P 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：30V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：23A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：7.8 毫欧 @ 11.5A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：2V @ 500A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：76nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：+20V，-25V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：3240pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：700mW（Ta），30W（Tc）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：8-TSON Advance（3.3x3.3）
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