TPC8126,LQ(CM - Kioxia
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图片信息
TPC8126,LQ(CM
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:8-SOP(5.5x6.0)
技术参数:
MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
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TPC8126,LQ(CM 技术参数详情:
型号:TPC8126,LQ(CM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:8-SOP(5.5x6.0)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 30V 11A 8SOP
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):11A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):10 毫欧 @ 5.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2V @ 500A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):56 nC @ 10 V
Vgs(最大值):+20V,-25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):2400 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:8-SOP(5.5x6.0)
封装/外壳:8-SOIC(0.173
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TPC8126,LQ(CM
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