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TK4P55D(T6RSS-Q) - Kioxia
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图片信息
TK4P55D(T6RSS-Q) 图片
TK4P55D(T6RSS-Q)
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：D-Pak
  • 技术参数：MOSFET N-CH 550V 4A DPAK
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TK4P55D(T6RSS-Q) 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TK4P55D(T6RSS-Q)
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N-CH 550V 4A DPAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：π-MOSVII
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：550V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：4A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.88 欧姆 @ 2A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：4.4V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：490pF @ 25V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：80W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：D-Pak
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