射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
TK16J60W,S1VQ - Kioxia
Kioxia代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
TK16J60W,S1VQ 图片
TK16J60W,S1VQ
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-3P（N）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
  • 需要TK16J60W,S1VQ的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
TK16J60W,S1VQ 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TK16J60W,S1VQ
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 15.8A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：DTMOSIV
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 790A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 300V
  • FET功能：超级结
  • 功率耗散（最大值）：130W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
  • 快速提供TK16J60W,S1VQ专业且全面的报价，Kioxia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Kioxia品牌LOGO
更多Kioxia产品：
Kioxia公司授权代理商
Dunbar
ICE Components
SunFounder
Xaptum
GeneSiC
TK16J60W,S1VQ（制造商：Kioxia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台