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TK16C60W,S1VQ - Kioxia
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图片信息
TK16C60W,S1VQ 图片
TK16C60W,S1VQ
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：I2PAK
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
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TK16C60W,S1VQ 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TK16C60W,S1VQ
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 15.8A I2PAK
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：DTMOSIV
  • 零件状态：停产
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：15.8A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：190 毫欧 @ 7.9A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 790A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：38nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1350pF @ 300V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：130W（Tc）
  • 工作温度：150°C（TJ）
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：I2PAK
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