TK160F10N1L,LQ - Kioxia
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图片信息
TK160F10N1L,LQ
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:TO-220SM(W)
技术参数:
MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
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TK160F10N1L,LQ 技术参数详情:
型号:TK160F10N1L,LQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:TO-220SM(W)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):160A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):2.4 毫欧 @ 80A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):122 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):10100 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):375W(Tc)
工作温度:175°C
等级:汽车级
资质:AEC-Q101
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-220SM(W)
封装/外壳:TO-263-3,D2PAK(2 引线 + 凸片),TO-263AB
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