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TK12J60W,S1VE(S - Kioxia
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图片信息
TK12J60W,S1VE(S 图片
TK12J60W,S1VE(S
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-3P（N）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
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TK12J60W,S1VE(S 技术参数详情：
  • 制造商产品型号：TK12J60W,S1VE(S
  • 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
  • 描述：MOSFET N-CH 600V 11.5A TO3P
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：-
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：600V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：11.5A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：300 毫欧 @ 5.8A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.7V @ 600A
  • 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值）：25nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±30V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：890pF @ 300V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：110W（Tc）
  • 工作温度：150°C
  • 安装类型：通孔
  • 器件封装：TO-3P（N）
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