TK057V60Z1,LQ - Kioxia
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图片信息
TK057V60Z1,LQ
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:4-DFN-EP(8x8)
技术参数:
N-CH MOSFET 600 V 0.057 OHM DFN
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TK057V60Z1,LQ 技术参数详情:
型号:TK057V60Z1,LQ
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:4-DFN-EP(8x8)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:N-CH MOSFET 600 V 0.057 OHM DFN
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):57 毫欧 @ 15A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):4V @ 1.69mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):65 nC @ 10 V
Vgs(最大值):±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3680 pF @ 300 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):270W(Tc)
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:4-DFN-EP(8x8)
封装/外壳:4-VSFN 焊盘
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