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TC58NYG2S0HBAI6 - Kioxia
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图片信息
TC58NYG2S0HBAI6 图片
TC58NYG2S0HBAI6
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：集成电路（IC） > 存储器 > 存储器，封装:67-VFBGA（6.5x8）
  • 技术参数：IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
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TC58NYG2S0HBAI6 技术参数详情：
  • 型号:TC58NYG2S0HBAI6
  • 品牌:Kioxia America, Inc. (Kioxia,铠侠,原来的东芝半导体)
  • 封装:67-VFBGA（6.5x8）
  • 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:南皇电子 停止提供
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:FLASH - NAND（SLC）
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:512M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:-
  • 写周期时间 - 字，页:25ns
  • 访问时间:25 ns
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:67-VFBGA
  • 供应商器件封装:67-VFBGA（6.5x8）
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