SSM6N16FUTE85LF - Kioxia
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图片信息
SSM6N16FUTE85LF
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:US6
技术参数:
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
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SSM6N16FUTE85LF 技术参数详情:
型号:SSM6N16FUTE85LF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:US6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:2 N-通道(双)
FET 功能:-
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 10mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.1V @ 100A
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9.3pF @ 3V
功率 - 最大值:200mW
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
供应商器件封装:US6
快速提供
SSM6N16FUTE85LF
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