SSM6L35FE,LM - Kioxia
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图片信息
SSM6L35FE,LM
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列,封装:ES6
技术参数:
MOSFET N/P-CH 20V 0.18A ES6
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SSM6L35FE,LM 技术参数详情:
型号:SSM6L35FE,LM
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:ES6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > FET、MOSFET 阵列
描述:MOSFET N/P-CH 20V 0.18A ES6
系列:-
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
技术:MOSFET(金属氧化物)
配置:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源电压(Vdss):20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):180mA,100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):3 欧姆 @ 50mA,4V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):9.5pF @ 3V
功率 - 最大值:150mW
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
供应商器件封装:ES6
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