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SSM6L09FUTE85LF - Kioxia
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图片信息
SSM6L09FUTE85LF 图片
SSM6L09FUTE85LF
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:US6
  • 技术参数：MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
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SSM6L09FUTE85LF 技术参数详情：
  • 型号:SSM6L09FUTE85LF
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:US6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:MOSFET N/P-CH 30V 0.4A US6
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:不适用于新设计
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:N 和 P 沟道
  • FET 功能:逻辑电平门
  • 漏源电压（Vdss）:30V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):400mA，200mA
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:700毫欧 @ 200MA，10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:1.8V @ 100A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:20pF @ 5V
  • 功率 - 最大值:300mW
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装:US6
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