SSM6K211FE,LF - Kioxia
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图片信息
SSM6K211FE,LF
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:ES6
技术参数:
MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
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SSM6K211FE,LF 技术参数详情:
型号:SSM6K211FE,LF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:ES6
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET N-CH 20V 3.2A ES6
包装:卷带(TR)
产品状态:停产
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):47 毫欧 @ 2A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):10.8 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):510 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):500mW(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:ES6
封装/外壳:SOT-563,SOT-666
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