SSM6J512NU,LF - Kioxia
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图片信息
SSM6J512NU,LF
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:6-UDFNB(2x2)
技术参数:
MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
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SSM6J512NU,LF 技术参数详情:
型号:SSM6J512NU,LF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:6-UDFNB(2x2)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 12V 10A 6UDFNB
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):12 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):10A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,8V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):16.2 毫欧 @ 4A,8V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):19.5 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):1400 pF @ 6 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.25W(Ta)
工作温度:150°C(TJ)
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:6-UDFNB(2x2)
封装/外壳:6-WDFN 焊盘
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