SSM3J352F,LF - Kioxia
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图片信息
SSM3J352F,LF
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET,封装:S-Mini
技术参数:
MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
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SSM3J352F,LF 技术参数详情:
型号:SSM3J352F,LF
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:S-Mini
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
描述:MOSFET P-CH 20V 2A S-MINI
包装:卷带(TR)
产品状态:在售
FET 类型:P 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):1.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):110 毫欧 @ 2A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):1.2V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):5.1 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值):±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):210 pF @ 10 V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):1.2W(Ta)
工作温度:150°C
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:S-Mini
封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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