RN2109ACT(TPL3) - Kioxia
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图片信息
RN2109ACT(TPL3)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管,封装:CST3
技术参数:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
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RN2109ACT(TPL3) 技术参数详情:
型号:RN2109ACT(TPL3)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:CST3
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极(BJT) > 单,预偏置双极晶体管
描述:TRANS PREBIAS PNP 50V 0.08A CST3
系列:-
包装:剪切带(CT)
产品状态:在售
晶体管类型:PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):80 mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50 V
包含电阻器:R1 和 R2
电阻器 - 基极 (R1):47 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2):22 kOhms
不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):70 @ 10mA,5V
不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降(最大值):150mV @ 250A,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:100 mW
等级:-
资质:-
安装类型:表面贴装型
封装/外壳:SC-101,SOT-883
供应商器件封装:CST3
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