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RN1968(TE85L,F) - Kioxia
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RN1968(TE85L,F)
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置，封装:US6
  • 技术参数：TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
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RN1968(TE85L,F) 技术参数详情：
  • 型号:RN1968(TE85L,F)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:US6
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 双极晶体管阵列，预偏置
  • 描述:TRANS PREBIAS 2NPN 50V 100MA US6
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:2 个 NPN 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50V
  • 电阻器 - 基极 (R1):22 千欧
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 千欧
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 250A，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
  • 频率 - 跃迁:250MHz
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商器件封装:US6
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