RN1116MFV(TPL3) - Kioxia
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图片信息
RN1116MFV(TPL3)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
单路预偏压式晶体管,VESM
技术参数:
TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
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RN1116MFV(TPL3) 技术参数详情:
东芝半导体公司完整型号:RN1116MFV(TPL3)
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:TRANS PREBIAS NPN 150MW VESM
系列:-
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 250A,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:250MHz
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM
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RN1116MFV(TPL3)
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