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RN1106MFV(TL3,T) - Kioxia
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图片信息
RN1106MFV(TL3,T) 图片
RN1106MFV(TL3,T)
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管，封装:VESM
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1106MFV(TL3,T) 技术参数详情：
  • 型号:RN1106MFV(TL3,T)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:VESM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):4.7 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500A，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-723
  • 供应商器件封装:VESM
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