射频微波器件采购网，轻松满足您的射频微波器件采购需求
RN1105MFV,L3F(CT - Kioxia
Kioxia代理商全球现货渠道
强大的现货交付能力，轻松满足您的射频微波器件采购需求
热门关注品牌：
Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
RN1105MFV,L3F(CT 图片
RN1105MFV,L3F(CT
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管，封装:VESM
  • 技术参数：TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 需要RN1105MFV,L3F(CT的报价? 那就马上联系我们吧!
  • 最快当日发货、严格的质量标准，满足您的目标价格，射频微波器件一站式采购
快速给您提供报价，满足您的目标价格
RN1105MFV,L3F(CT 技术参数详情：
  • 型号:RN1105MFV,L3F(CT
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:VESM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单，预偏置双极晶体管
  • 描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 晶体管类型:NPN - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:100 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:50 V
  • 包含电阻器:R1 和 R2
  • 电阻器 - 基极 (R1):2.2 kOhms
  • 电阻器 - 发射极 (R2):47 kOhms
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:80 @ 10mA，5V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:300mV @ 500A，5mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:500nA
  • 频率 - 跃迁:-
  • 功率 - 最大值:150 mW
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-723
  • 供应商器件封装:VESM
  • 快速提供RN1105MFV,L3F(CT专业且全面的报价，Kioxia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
解决您的射频微波器件采购难题
Kioxia品牌LOGO
更多Kioxia产品：
Kioxia公司授权代理商
Finder
SkyMirr
SensoPart
Ironwood
CompuCablePlusUSA
RN1105MFV,L3F(CT（制造商：Kioxia） - 射频微波器件采购网 - 国内专业的射频微波器件采购平台