RN1105MFV,L3F - Kioxia
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图片信息
RN1105MFV,L3F
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置,封装:SOT-723
技术参数:
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
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RN1105MFV,L3F 技术参数详情:
制造商产品型号:RN1105MFV,L3F
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
系列:晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置
零件状态:停产
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流-集电极(Ic)(最大值):100mA
电压-集射极击穿(最大值):50V
电阻器-基极(R1):2.2 kOhms
电阻器-发射极(R2):47 kOhms
不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)(最小值):80 @ 10mA,5V
不同Ib、Ic时Vce饱和压降(最大值):300mV @ 500A,5mA
电流-集电极截止(最大值):500nA
频率-跃迁:-
功率-最大值:150mW
安装类型:表面贴装型
封装:SOT-723
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RN1105MFV,L3F
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