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MG600Q2YMS3(DAE) - Kioxia
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图片信息
MG600Q2YMS3(DAE) 图片
MG600Q2YMS3(DAE)
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
  • 技术参数：SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A
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MG600Q2YMS3(DAE) 技术参数详情：
  • 型号:MG600Q2YMS3(DAE)
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
  • 描述:SIC MOSFET MODULE, 1200 V, 600 A
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:在售
  • 技术:MOSFET（金属氧化物）
  • 配置:2 个 N 通道（半桥）
  • FET 功能:-
  • 漏源电压（Vdss）:1200V（1.2kV）
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):600A（Tc）
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
  • 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 600mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:53000pF @ 600V
  • 功率 - 最大值:2000W（Tc）
  • 工作温度:150°C
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:底座安装
  • 封装/外壳:模块
  • 供应商器件封装:-
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