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Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
HN1C03FU-B(TE85L,F 图片
  • 制造厂家:Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
  • 类别封装:晶体管阵列,US6
  • 技术参数:TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
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HN1C03FU-B(TE85L,F 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:HN1C03FU-B(TE85L,F
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
  • 系列:-
  • 晶体管类型:2 NPN(双)
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):300mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):20V
  • 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):100mV @ 3mA,30mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值):100nA(ICBO)
  • 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):350 @ 4mA,2V
  • 功率 - 最大值:200mW
  • 频率 - 跃迁:30MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:US6
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