HN1B01F-GR(TE85L,F 技术参数详情：
- 制造商产品型号：HN1B01F-GR(TE85L,F
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6
- 系列：晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列
- 零件状态：停产
- 晶体管类型：NPN，PNP
- 电流-集电极(Ic)（最大值）：150mA
- 电压-集射极击穿（最大值）：50V
- 不同Ib、Ic时Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 10mA，100mA
- 电流-集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同Ic、Vce时DC电流增益(hFE)（最小值）：200 @ 2mA，6V
- 功率-最大值：300mW
- 频率-跃迁：120MHz
- 工作温度：125°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装：SC-74，SOT-457
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