GT60M303(Q) - Kioxia
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图片信息
GT60M303(Q)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
单路IGBT,TO-3P
技术参数:
IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
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GT60M303(Q) 技术参数详情:
东芝半导体公司完整型号:GT60M303(Q)
制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
描述:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):900V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
Current - Collector Pulsed (Icm):120A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,60A
功率 - 最大值:170W
Switching Energy:-
输入类型:标准
Gate Charge:-
25°C 时 Td(开/关)值:460ns/600ns
Test Condition:-
反向恢复时间 (trr):2.5s
封装/外壳:TO-3PL
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P(LH)
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