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Kioxia产品型号|射频微波器件采购网
图片信息
GT60M303(Q) 图片
  • 制造厂家:Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
  • 类别封装:单路IGBT,TO-3P
  • 技术参数:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
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GT60M303(Q) 技术参数详情:
  • 东芝半导体公司完整型号:GT60M303(Q)
  • 制造商:东芝半导体(Toshiba Semiconductor,现已更名为Kioxia铠侠)
  • 描述:IGBT 900V 60A 170W TO3P LH
  • 系列:-
  • IGBT 类型:-
  • 电压 - 集射极击穿(最大值):900V
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):60A
  • Current - Collector Pulsed (Icm):120A
  • 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.7V @ 15V,60A
  • 功率 - 最大值:170W
  • Switching Energy:-
  • 输入类型:标准
  • Gate Charge:-
  • 25°C 时 Td(开/关)值:460ns/600ns
  • Test Condition:-
  • 反向恢复时间 (trr):2.5s
  • 封装/外壳:TO-3PL
  • 安装类型:通孔
  • 供应商器件封装:TO-3P(LH)
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