GT30J121(Q) - Kioxia
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图片信息
GT30J121(Q)
制造厂家:
Kioxia(铠侠,TOSHIBA东芝)
类别封装:
分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT,封装:TO-3P(N)
技术参数:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
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GT30J121(Q) 技术参数详情:
型号:GT30J121(Q)
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体,现已更名为Kioxia铠侠)
封装:TO-3P(N)
类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
系列:-
包装:管件
产品状态:在售
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):60 A
不同Vge、Ic 时Vce(on)(最大值):2.45V @ 15V,30A
功率 - 最大值:170 W
开关能量:1mJ(导通),800J(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:-
25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300ns
测试条件:300V,30A,24 欧姆,15V
反向恢复时间 (trr):-
工作温度:-
等级:-
资质:-
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装:TO-3P(N)
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