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DF2B6.8M1ACT,L3F - Kioxia
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图片信息
DF2B6.8M1ACT,L3F 图片
DF2B6.8M1ACT,L3F
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管，封装:CST2
  • 技术参数：TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
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DF2B6.8M1ACT,L3F 技术参数详情：
  • 型号:DF2B6.8M1ACT,L3F
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:CST2
  • 类目:电路保护 > 瞬态电压抑制器（TVS） > TVS 二极管
  • 描述:TVS DIODE 5VWM 20VC CST2
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:在售
  • 类型:齐纳
  • 单向通道:-
  • 双向通道:1
  • 电压 - 反向断态（典型值）:5V（最大）
  • 电压 - 击穿（最小值）:6V
  • 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）:20V
  • 电流 - 峰值脉冲 (10/1000s):2.5A（8/20s）
  • 功率 - 峰值脉冲:50W
  • 电源线路保护:无
  • 应用:通用
  • 不同频率时电容:0.3pF @ 1MHz
  • 工作温度:-
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOD-882
  • 供应商器件封装:CST2
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