CRS10I30B(TE85L,Q) 技术参数详情：
- 东芝半导体公司完整型号：CRS10I30B(TE85L,Q)
- 制造商：东芝半导体（Toshiba Semiconductor，现已更名为Kioxia铠侠）
- 描述：DIODE SCHOTTKY 30V 1A SFLAT
- 系列：-
- 二极管类型：肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：30V
- 电流 - 平均整流 (Io)：1A
- 不同 If 时的电压 - 正向 (Vf)：420mV @ 1A
- 速度：快速恢复 = 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流：60A @ 30V
- 不同 Vr、F 时的电容：50pF @ 10V，1MHz
- 安装类型：表面贴装
- 封装/外壳：SOD-123F
- 供应商器件封装：S-FLAT（1.6x3.5）
- 工作温度 - 结：150°C （最大）
- 快速提供CRS10I30B(TE85L,Q)专业且全面的报价，Kioxia代理货源国内领先的射频微波芯片采购平台。
