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2SA1955FVBTPL3Z - Kioxia
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图片信息
2SA1955FVBTPL3Z 图片
2SA1955FVBTPL3Z
  • 制造厂家：Kioxia（铠侠，TOSHIBA东芝）
  • 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管，封装:VESM
  • 技术参数：TRANS PNP 12V 0.4A VESM
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2SA1955FVBTPL3Z 技术参数详情：
  • 型号:2SA1955FVBTPL3Z
  • 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
  • 封装:VESM
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > 双极（BJT） > 单双极晶体管
  • 描述:TRANS PNP 12V 0.4A VESM
  • 系列:-
  • 包装:卷带（TR）
  • 产品状态:停产
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:400 mA
  • 电压 - 集射极击穿（最大值）:12 V
  • 不同Ib、Ic 时Vce 饱和压降（最大值）:250mV @ 10mA，200mA
  • 电流 - 集电极截止（最大值）:100nA（ICBO）
  • 不同Ic、Vce时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）:300 @ 10mA，2V
  • 功率 - 最大值:100 mW
  • 频率 - 跃迁:130MHz
  • 工作温度:150°C（TJ）
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SOT-723
  • 供应商器件封装:VESM
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